China propone reducir en un tercio el tamaño de las celdas DRAM; Micron las considera un callejón sin salida.

La china CXMT probó una nueva arquitectura de memoria DRAM que permite reducir el área de la celda en un tercio. La estadounidense Micron exploró un enfoque similar durante unos 20 años, pero lo abandonó por limitaciones físicas. Ahora los fabricantes discuten qué camino es más prometedor.

ChangXin Memory Technologies (CXMT), el mayor productor chino de DRAM, completó la verificación de las muestras de ingeniería de sexta generación de memoria con arquitectura 4F². La compañía presentó los resultados el 30 de octubre en una reunión con inversores tras la publicación de sus informes trimestrales. Las pruebas confirmaron que las características clave cumplen los requisitos del diseño, aunque la producción comercial aún no ha comenzado.

La principal ventaja del 4F² radica en una disposición más compacta de los componentes. En la arquitectura tradicional 6F², la celda ocupa un área igual a seis cuadrados del tamaño tecnológico mínimo F. El desarrollo chino reduce ese valor a cuatro cuadrados, es decir, aproximadamente un 33 %. Teóricamente, ese cambio permite ubicar más celdas de memoria en un mismo chip del tamaño anterior.

Para implementar el 4F², los ingenieros de CXMT desarrollaron un transistor VSG con canal vertical y puerta envolvente. La construcción ayuda a reducir las fugas de corriente y a acomodar los elementos de forma más densa. La compañía también emplea una unión híbrida de obleas, separando la fabricación de los circuitos lógicos y la matriz de memoria. El enfoque permite optimizar distintas partes del circuito integrado de manera independiente.

Sin embargo, la estadounidense Micron Technology considera que la arquitectura 4F² no es prometedora para una mayor escalabilidad. El presidente de la compañía y director técnico, Scott DeBoer, explicó el 21 de octubre que la densidad de la DRAM está limitada sobre todo por el tamaño de los condensadores y las distancias entre ellos. Reducir el área de los transistores no elimina las limitaciones físicas; en cambio, complica la fabricación y aumenta los costos.

Micron planea continuar mejorando la arquitectura 6F² y pasar gradualmente a la DRAM tridimensional. En CXMT replican que la densidad de la memoria depende no solo de los condensadores, sino también de la disposición de las líneas de palabra y de bit. La empresa china atribuye las diferencias entre los enfoques de los fabricantes a las tecnologías acumuladas, el equipo, las patentes y los planes de inversión.

El primer producto de CXMT con la nueva arquitectura debería ser un módulo para servidores DDR5 RDIMM. Se espera entregar muestras a los clientes antes de finales de 2026. Como indican las explicaciones de la compañía, la producción en masa comenzará según los resultados de las pruebas de los clientes y la demanda del mercado. Los parámetros exactos de velocidad, capacidad y rendimiento de obleas aún no se han revelado.

El éxito de CXMT podría intensificar la competencia con Samsung y SK Hynix, que también investigan el 4F². Sin embargo, la confirmación del funcionamiento de las muestras de ingeniería aún no demuestra la viabilidad económica de la producción en masa. Anteriormente CXMT ya presentó DRAM con un paso de área activa de 11,95 nm, y ahora intenta aumentar la densidad de memoria mediante una disposición de celdas radicalmente diferente.