Letal para las personas, inofensivo para el chip: nuevo microchip programable resiste hasta 10 megarad de radiación gamma
En China desarrollan un nanochip inmune a la radiación.
Científicos de la Universidad de Fudan anunciaron un avance en microelectrónica: han desarrollado un chip programable capaz de funcionar ante niveles extremos de radiación. El estudio publicado en la revista National Science Review, que calificó el proyecto «un salto histórico para los semiconductores bidimensionales — de circuitos sencillos a sistemas complejos».
El chip creado pertenece a la categoría FPGA (matriz de puertas programable en campo): son matrices lógicas programables que se pueden reconfigurar después de la fabricación. Esta arquitectura las hace indispensables para satélites, equipo militar, sistemas de cómputo y equipos que requieren actualizaciones durante su operación.
La principal característica del nuevo FPGA es el uso de disulfuro de molibdeno (MoS₂) en lugar del silicio tradicional. Este material pertenece a los semiconductores bidimensionales y destaca por su alta resistencia a la radiación, además de por su espesor mínimo: menos de un nanómetro. Una capa tan delgada permite controlar con mayor precisión los flujos eléctricos y evita la fuga de energía en los transistores, algo que desde hace tiempo sigue siendo un problema para los circuitos integrados de silicio modernos.
Según los investigadores, el grosor del nuevo chip es de solo 1 nanómetro. En pruebas de laboratorio mantuvo pleno funcionamiento tras ser expuesto a radiación gamma de hasta 10 megarad, lo que supera en muchas ocasiones el umbral de destrucción para los circuitos de silicio convencionales y resulta letal para las personas.
Los autores señalan que esta solución abre para China «un nuevo camino tecnológico para crear componentes electrónicos fiables». Estos elementos pueden reducir la dependencia de los sistemas aeroespaciales de protecciones externas voluminosas, disminuyendo el peso y el consumo energético del equipo.
Además de ofrecer alta resistencia a la radiación, el material bidimensional permite un movimiento rápido de electrones y una conmutación más eficiente, lo que incrementa el rendimiento y la eficiencia energética del dispositivo.
El trabajo fue dirigido por los profesores Zhou Peng y Bao Wenzhong. Su equipo ya ha informado en varias ocasiones sobre logros notables: en abril de 2025 presentaron en la revista Nature el primer chip semiconductor completamente bidimensional del mundo y la memoria flash más rápida. En octubre los investigadores publicaron otro artículo sobre memoria eficiente para IA, en el que combinaron materiales 2D con silicio.
Aunque la potencia computacional del nuevo FPGA aún es inferior a la de los análogos industriales, los científicos planean, junto con socios de fabricación, establecer la producción comercial. Su objetivo es la producción en masa de chips de alta fiabilidad compatibles con las líneas tecnológicas existentes.